[发明专利]一种衍射环结构II类超晶格红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011028961.5 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112117345B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐云;杜雅楠;吕龙锋;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衍射环结构II类超晶格红外探测器，包括至下而上的衬底层(7)、缓冲层(6)、刻蚀终止层(5)、p区层(4)、i区吸收层(3)、n区层(2)、衍射环层(1)；衍射环层(1)与p区层(4)之间形成第一台面；p区层(4)与刻蚀终止层(5)之间形成第二台面；第一台面、第二台面上设有钝化膜(8)；第一台面、第二台面上的钝化膜(8)上设有开孔；开孔中、衍射环层(1)的衍射环和刻蚀暴露出的n区层(2)上设有金属电极(9)；设有金属电极(9)；衍射环层(1)为衍射环组成的阵列，用于将背入射光反射回i区吸收层(3)。本发明提供的探测器可以在不改变探测器结构的情况下提高探测器的量子效率，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衍射 结构 ii 晶格 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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