[发明专利]一种注入机离子源弧室的底板在审
| 申请号： | 202011024207.4 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112271145A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 廖启超;宋宁;梅东健;邵灿;唐红跃 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;H01J37/317 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种注入机离子源弧室的底板，它包括注入机离子源弧室（3），在注入机离子源弧室（3）内设有底板（1），其特征在于：在底板（1）的上、下表面上分别设有凹槽（2）。本发明结构简单、使用方便，能有效的提高对杂质气体的阻力，进而降低气体流速，能有效暂存弧室电离杂质气体所产生的附着物，减少弧室内部打火（即尖端放电），进而提升底板的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 注入 离子源 底板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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