[发明专利]监测侧墙尺寸波动的方法有效
| 申请号： | 202011019835.3 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112185835B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种监测侧墙尺寸波动的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括选取两个多栅结构器件，检测每个多栅结构器件的源/漏区电阻；两个多栅结构器件的栅极结构相同，且栅间间距不同；根据两个多栅结构器件的源/漏区电阻、栅间间距，计算出栅极侧墙的尺寸波动相对值；每个多栅结构器件包括衬底、若干个栅极结构、阱区、源区和漏区，阱区位于衬底内，源区和漏区位于阱区内，若干个栅极结构间隔地平行排列在阱区上方，每个栅极结构由栅介质层、多晶硅栅、栅极侧墙构成；栅间间距是一个多栅结构器件中相邻的两个栅极结构之间的距离；解决目前侧墙监控结果不稳定的问题；达到了提高侧墙尺寸监控的准确性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 尺寸 波动 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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