[发明专利]检测晶圆通孔缺陷的方法及装置有效
| 申请号： | 202011015046.2 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112233993B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 孟春霞;张辰明;朱骏;魏芳;陈翰;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种直接检测通孔通断状态的方法及装置，该装置可以由碳纳米管探针组成阵列模板，通过在碳纳米管探针上加上预设数值的电压，对准并向下移动探针到达孔层底部，由于孔层完全开通或有介质层残留时，底部的材料导电性不同，这样通过探针上电压的变化就可以直接检测出通孔的通断状态，用当站直接检测的数据来反馈前面工艺参数是否合适，解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测，反馈滞后的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 圆通 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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