[发明专利]畴切换器件、制造其的方法及系统及制造电子装置的方法在审
| 申请号： | 202011013829.7 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635561A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 许镇盛;金尚昱;李润姓;赵常玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及畴切换器件、制造其的方法及系统及制造电子装置的方法。该畴切换器件包括：沟道区、连接到沟道区的源极和漏极、与沟道区不接触的栅电极、在沟道区和栅电极之间的反铁电层、在栅电极和反铁电层之间以接触反铁电层的导电层以及在反铁电层和沟道区之间的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 器件 制造 方法 系统 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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