[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011012426.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111933713B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 程洋;李庆民;王梦慧;陈信全 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；形成垫氧化层于所述衬底上；形成浅沟槽隔离结构于所述衬底和所述垫氧化层中，且所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述垫氧化层的顶面；刻蚀所述浅沟槽隔离结构的一侧和所述垫氧化层，以去除部分厚度的所述垫氧化层以及使得所述浅沟槽隔离结构的一侧形成台阶，且所述台阶的底面高于剩余的所述垫氧化层的顶面；以及，形成栅极层于部分宽度的所述浅沟槽隔离结构以及靠近所述台阶的所述垫氧化层上，且所述栅极层覆盖所述台阶。本发明的技术方案能够在增大半导体器件的击穿电压的同时，还能降低比导通电阻，实现了比导通电阻与击穿电压的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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