[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202011005558.0 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112201725A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 查钢强;张文玉;胡瑞琪;李易伟;曹昆;李阳 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学深圳研究院;西北工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法,在摇摆合料炉中合成硒化锑晶体;升华源准备步骤,对合成的硒化锑晶体进行处理得到硒化锑升华源;衬底处理步骤,对FTO衬底进行清洗、氮气吹干、真空干燥;窗口层形成步骤,在FTO衬底上形成硫化镉窗口层;吸收层形成步骤,在硫化镉窗口层上形成硒化锑吸收层;退火步骤,吸收层生长结束后,对样品进行退火;背电极制备步骤,在吸收层上蒸镀背电极。本发明制备的硒化锑薄膜太阳能电池具有制备简单、成本低廉、毒性小、生长速度快、可大面积生长等优点,可用于解决传统太阳能电池成本高、毒性大、易衰退等问题,有助于太阳能电池的商业化推广和应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化锑 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的