[发明专利]一种MOS工艺的功率放大器装置及系统在审
| 申请号： | 202011002300.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112234947A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 胡鹏;周伶俐;王日炎;何俊良;张芳芳;钟世广 | 申请（专利权）人： | 广州海格通信集团股份有限公司;广州润芯信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F1/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 孙柳 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器，其中，主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号；主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接；所述截断波产生器，用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号，从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备，进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 工艺 功率放大器 装置 系统 | ||
【主权项】：
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