[发明专利]一种MOS工艺的功率放大器装置及系统在审
| 申请号： | 202011002300.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112234947A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 胡鹏;周伶俐;王日炎;何俊良;张芳芳;钟世广 | 申请（专利权）人： | 广州海格通信集团股份有限公司;广州润芯信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F1/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 孙柳 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 工艺 功率放大器 装置 系统 | ||
1.一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器；其中，所述主放大器的输入端输入外部输入信号，用于对外部输入信号进行放大处理后生成第一输出信号；所述主放大器的输入端与截断波产生器的输入端电性连接，主放大器的输出端与截断波产生器的输出端电性连接；所述截断波产生器，用于在系统的控制下根据外部输入信号生成截断波信号，从而使得截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后将第一输出信号输送到负载设备。
2.根据权利要求1所述一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述主放大器的输入端包括正相输入端和负相输入端、输出端包括正相输出端和负相输出端；截断波产生器的输入端包括正相输入端和负相输入端、输出端包括正相输出端和负相输出端；
主放大器的正相输入端与截断波产生器的负相输入端电性连接、主放大器的负相输入端与截断波产生器的正相输入端电性连接；主放大器的正相输出端与截断波产生器的负相输出端电性连接、主放大器的负相输入端与截断波产生器的正相输入端电性连接。
3.根据权利要求1所述一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括峰值检测器；所述峰值检测器的输入端与所述主放大器的输出端电性连接、输出端与截断波产生器的控制端电性连接，用于检测主放大器输出的第一输出信号的幅度并将生成的控制信号发送给截断波产生器，从而使得截断波产生器根据所述控制信号以及外部输入信号生成截断波信号。
4.根据权利要求3所述一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述峰值检测器由MOS晶体管组成，或者由二极管组成，或者由三极管组成。
5.根据权利要求1所述一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述主放大器由MOS晶体管组成，或者由二极管组成，或者由三极管组成。
6.根据权利要求1所述一种MOS工艺的功率放大器装置，其特征在于，所述截断波产生器由MOS晶体管组成，或者由二极管组成，或者由三极管组成。
7.一种MOS工艺的功率放大器系统，其特征在于，所述功率放大器系统包括负载设备和如权利要求1-6中任一项所述的一种MOS工艺的功率放大器装置，所述负载设备与所述一种MOS工艺的功率放大器装置的主放大器的输出端电性连接。
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