[发明专利]一种MOS工艺的功率放大器装置及系统在审

专利信息
申请号: 202011002300.5 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112234947A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 胡鹏;周伶俐;王日炎;何俊良;张芳芳;钟世广 申请(专利权)人: 广州海格通信集团股份有限公司;广州润芯信息技术有限公司
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F1/02
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 孙柳
地址: 510000 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 工艺 功率放大器 装置 系统
【说明书】:

发明公开了一种MOS工艺的功率放大器装置,所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器,其中,主放大器的输入端输入外部输入信号、输出端输出经过主放大器放大后的第一输出信号;主放大器的输入端与截断波产生器的输入端连接、输出端与截断波产生器的输出端连接;所述截断波产生器,用于根据系统发送的控制信号生成截断波信号,从而使得所述截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后输出到负载设备,进而提高功率放大器的OIP3指标。本发明具有结构简单、功耗低等特点。本发明还提供了一种MOS工艺的功率放大器系统。

技术领域

本发明涉及功率放大器,尤其涉及一种MOS工艺的功率放大器装置及系统。

背景技术

目前,射频接收芯片的中频输出放大器需要在输出较大功率的同时保证较好的OIP3指标,以减小信号间的干扰,提高功率放大器的线性度。其中,OIP3指标为输出3阶截获点,是用于衡量功放的线性度的指标。

现有的对于提升OIP3指标一般存在较大缺陷,比如功率大、提升效率不佳以及稳定性差等问题。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种MOS工艺的功率放大器装置,其能够解决现有技术中提高放大器的OIP3指标时存在功率大以及提升效率不佳等问题。

本发明的目的之二在于提供一种MOS工艺的功率放大器系统,其能够解决现有技术中提高放大器的OIP3指标时存在功率大以及提升效率不佳等问题。

本发明的目的之一采用如下技术方案实现:

一种MOS工艺的功率放大器装置,所述功率放大器装置包括主放大器和截断波产生器;其中,所述主放大器的输入端输入外部输入信号,用于对外部输入信号进行放大处理后生成第一输出信号;所述主放大器的输入端与截断波产生器的输入端电性连接,主放大器的输出端与截断波产生器的输出端电性连接;所述截断波产生器,用于在系统的控制下根据外部输入信号生成截断波信号,从而使得截断波信号中的干扰成分与第一输出信号的干扰成分抵消后将第一输出信号输送到负载设备。

进一步地,所述主放大器的输入端包括正相输入端和负相输入端、输出端包括正相输出端和负相输出端;截断波产生器的输入端包括正相输入端和负相输入端、输出端包括正相输出端和负相输出端;

主放大器的正相输入端与截断波产生器的负相输入端电性连接、主放大器的负相输入端与截断波产生器的正相输入端电性连接;主放大器的正相输出端与截断波产生器的负相输出端电性连接、主放大器的负相输入端与截断波产生器的正相输入端电性连接。

进一步地,所述功率放大器装置包括峰值检测器;所述峰值检测器的输入端与所述主放大器的输出端电性连接、输出端与截断波产生器的控制端电性连接,用于检测主放大器输出的第一输出信号的幅度并将生成的控制信号发送给截断波产生器,从而使得截断波产生器根据所述控制信号以及外部输入信号生成截断波信号。

进一步地,所述峰值检测器由MOS晶体管组成,或者由二极管组成,或者由三极管组成。

进一步地,所述主放大器由MOS晶体管组成,或者由二极管组成,或者由三极管组成。

进一步地,所述截断波产生器由MOS晶体管组成,或者由二极管组成,或者由三极管组成。

本发明的目的之二采用如下技术方案实现:

一种MOS工艺的功率放大器系统,所述功率放大器系统包括负载设备和如本发明目的之一采用的一种MOS工艺的功率放大器装置,所述负载设备与所述一种MOS工艺的功率放大器装置的主放大器的输出端电性连接。

相比现有技术,本发明的有益效果在于:

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