[发明专利]用连续3D技术形成的图像传感器在审
申请号: | 202010980105.3 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN112530985A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 莉娜·卡杜拉;弗朗索瓦·安德里厄;佩林·巴图德;克里斯多夫·里契特拉 | 申请(专利权)人: | 原子能与替代能源委员会 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种包括多个像素的图像传感器,每个像素包括耦合到控制电路的光电探测器,所述光电探测器形成在第一半导体基板的内部和顶部,并且所述控制电路包括至少一个第一MOS晶体管,其形成在设置在所述第一基板上的第二半导体基板的内部和顶部,所述传感器旨在在与所述第二基板相对的所述第一基板的表面的侧面被照亮,所述传感器还包括设置在所述第一基板和所述第二基板之间并在所述传感器的大致整个表面的上方延伸的屏蔽部,其中所述屏蔽部包括至少一个导电层。 | ||
搜索关键词: | 连续 技术 形成 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的