[发明专利]储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质在审
| 申请号： | 202010969881.3 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN114185092A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘炯;刘喜武;刘宇巍;刘志远;钱恪然;刘兰峰 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院 |
| 主分类号： | G01V1/30 | 分类号： | G01V1/30 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100027 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：将原始偏移距道集转换为地震角道集；针对地震角道集进行AVA反演，计算各向异性参数的变化项；根据各向异性参数的变化项，计算目的层的VTI介质Thomsen参数；根据目的层的VTI介质Thomsen参数，评价储层水平缝发育程度。本发明通过VTI介质纵波反射系数公式结合Gardner关于速度、密度的公式，反演页岩油气储层各向异性参数，评价水平裂缝的发育程度，预测油气储层的甜点。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 发育 程度 评价 方法 装置 电子设备 介质 | ||
【主权项】：
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