[发明专利]储层水平缝发育程度评价方法、装置、电子设备及介质

权利要求书

1.一种储层水平缝发育程度评价方法，其特征在于，包括：

将原始偏移距道集传换为地震角道集；

针对所述地震角道集进行AVA反演，计算各向异性参数的变化项；

根据所述各向异性参数的变化项，计算目的层的VTI介质Thomsen参数；

根据所述目的层的VTI介质Thomsen参数，评价储层水平缝发育程度。

2.根据权利要求1所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，通过公式(1)针对所述地震角道集进行AVA反演：

其中，为VTI介质的纵波反射系数，P₁为纵波变化项，C₁为纵波和各向异性参数变化项，θ为入射角，G₁为纵、横波速度和各向异性参数综合变化项。

3.根据权利要求1所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，计算各向异性参数的变化项包括：

反演计算纵波变化项与纵波和各向异性参数变化项；

通过所述纵波变化项与所述纵波和各向异性参数变化项，计算所述各向异性参数的变化项。

4.根据权利要求3所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，通过公式(2)计算纵波变化项：

其中，P₁为纵波变化项，α是待研究地区岩石Gardner公式中纵波速度的指数项，符号Δ表示上下两层参数的差。

5.根据权利要求3所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，通过公式(3)计算纵波和各向异性参数变化项：

其中，C₁为纵波和各向异性参数变化项，ε为VTI介质中的Thomsen纵波各项异性参数。

6.根据权利要求3所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，通过公式(4)计算所述各向异性参数的变化项：

其中，Δε为各向异性参数的变化项。

7.根据权利要求1所述的储层水平缝发育程度评价方法，其中，根据所述目的层的VTI介质Thomsen参数，评价储层水平缝发育程度包括：

所述目的层的VTI介质Thomsen参数ε越大，则水平缝越发育。

8.一种储层水平缝发育程度评价装置，其特征在于，包括：

转换模块，将原始偏移距道集转换为地震角道集；

反演模块，针对所述地震角道集进行AVA反演，计算各向异性参数的变化项；

计算模块，根据所述各向异性参数的变化项，计算目的层的VTI介质Thomsen参数；

评价模块，根据所述目的层的VTI介质Thomsen参数，评价储层水平缝发育程度。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

存储器，存储有可执行指令；

处理器，所述处理器运行所述存储器中的所述可执行指令，以实现权利要求1-7中任一项所述的储层水平缝发育程度评价方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，该计算机可读存储介质存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的储层水平缝发育程度评价方法。