[发明专利]反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法在审
| 申请号： | 202010951398.2 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112505999A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 寺泽恒男;金子英雄;稻月判臣;高坂卓郎 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/54;G03F1/80;G03F1/72 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法。具体涉及一种反射性掩模坯料，其包括衬底、从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜以及导电膜。在衬底的其他主表面上形成坐标参比标记时，在另一主表面上形成坐标参比标记。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 性掩模 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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