[发明专利]像素、相关联的图像传感器和方法在审
| 申请号: | 202010947311.4 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN112825322A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
| 发明(设计)人: | 臧辉;王勤;陈刚 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种像素包括半导体衬底、光电二极管区域、浮动扩散区域和介电层。衬底具有形成沟槽的顶表面,沟槽由介电层做衬里,并且具有相对于顶表面的平面区域的沟槽深度。光电二极管区域在衬底中,并且包括在沟槽下方的底部光电二极管部分和与沟槽相邻的顶部光电二极管部分,顶部光电二极管部分邻接底部光电二极管部分,并且朝向平面区域延伸到小于沟槽深度的光电二极管深度。浮动扩散区域与沟槽相邻,并且具有小于沟槽深度的结深度。介电层的顶部区域在平面区域和结深度之间。介电层的底部区域在光电二极管深度和沟槽深度之间,并且比顶部区域厚。 | ||
| 搜索关键词: | 像素 相关 图像传感器 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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