[发明专利]一种硅片制造工艺在审
| 申请号： | 202010938546.7 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112059736A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 库黎明;闫志瑞;陈海滨 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片制造工艺。该工艺包括以下步骤：(1)在研磨和腐蚀后，对硅片进行抛光；(2)在硅片抛光后对硅片进行预清洗，去除硅片表面的磨料残留；(3)对硅片进行低温退火；(4)对低温退火的硅片进行最终清洗，去除步骤(3)中的表面金属残留，最后对金属水平进行检测。本发明的硅片制造工艺在最终清洗前用退火炉对硅片进行低温退火，使硅片体内金属扩散到表面，再经过最终清洗工艺进行去除。通过该工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片表面的金属沾污水平，特别是随着时间延长，表面金属水平保持稳定，提高硅单晶的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司，未经有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010938546.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电力设备控制机柜
- 下一篇：一种大型工程结构安全风险评估方法及系统
