[发明专利]排气配管装置在审
| 申请号： | 202010920436.8 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN113249709A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 松叶博;大石晃宏;福水裕之;栗原一彰 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 实施方式的排气配管装置作为在成膜腔室与将所述成膜腔室内进行排气的真空泵之间配置的排气配管的一部分而使用，该排气配管装置具备配管主体、线圈、内管及等离子体生成电路。线圈配置于所述配管主体的内侧。内管是配置于所述线圈的内侧的电介质。等离子体生成电路使用所述线圈而在所述内管的内侧生成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 排气 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
