[发明专利]一种半导体器件及其检测方法在审
申请号: | 202010916663.3 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112071767A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 吴继君 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/18;H01L23/58 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种半导体器件及其检测方法,半导体器件包括第一半导体结构、与第一半导体结构键合连接的第二半导体结构、以及键合检测结构;其中,键合检测结构包括段片式导电结构以及信息产生装置,段片式导电结构包括分布于第一半导体结构中的第一段片和分布于第二半导体结构中的第二段片,第一段片和第二段片通过键合连接的第一导电触点和第二导电触点串联形成检测线,检测线的两端用于接入预设检测电压;信息产生装置包括与不同位置的第一段片和/或第二段片对应连接的多个信息产生单元,各信息产生单元用以在接收到预设检测电压时发出受检测信息。本申请可以快速定位段片式导电结构的断路位置,从而快速定位半导体器件的键合失效位置。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 及其 检测 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造