[发明专利]锆合金表面氧化锆催化石墨烯生长的低温化学气相沉积法有效

专利信息
申请号: 202010915014.1 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112011783B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 章海霞;侯莹;郭俊杰;张华;闫晓丽;刘培植;王佳斌 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种锆合金表面氧化锆催化石墨烯生长的低温化学气相沉积方法,采用聚甲基丙烯酸甲酯为固态碳源,在锆合金表面直接低温生长石墨烯保护层,聚甲基丙烯酸甲酯加热分解出来的氧将锆合金表面原位氧化得到氧化锆,氧化锆进而催化石墨烯的形核及生长,最终在锆合金表面获得既不影响其导热性,同时将锆合金和冷却介质有效隔离的超薄防腐涂层。本发明方法简单成本低,获得的涂层有效提高了锆合金的电化学腐蚀性能,在核用锆合金的防腐领域具有重要的应用价值。
搜索关键词: 合金 表面 氧化锆 催化 石墨 生长 低温 化学 沉积
【主权项】:
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