[发明专利]一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010887572.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112133762A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;朱丹;张进成;陈大正;王中旭;刘志宏;宁静;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽，设置于所述缓冲层的上表面，且位于所述缓冲层、所述插入层、所述势垒层、所述帽层和所述钝化层的同一侧；阳电极，位于所述阳极凹槽内；阴电极，设置于所述帽层的上表面，且位于所述钝化层远离所述阳电极的一侧。本ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，通过采用ScAlN材料的势垒层，可大幅度增大二维电子气面电荷密度，进而增大输出电流，实现高输出功率。同时，阳电极位于采用全凹槽结构的阳极凹槽内，可降低本肖特基二极管开启电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 scaln 势垒层 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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