[发明专利]光开关结构、相关的制造方法以及具有光开关结构和电压源的装置有效
| 申请号： | 202010887547.3 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112531072B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡思福;胡佳洁;菲利克斯·胡 | 申请（专利权）人： | 成都特频微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/16 | 分类号： | H01L31/16;H01L31/0352;H03K17/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 610054 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光开关结构(2)，包括具有n区(5)的半导体衬底(4)，布置在所述半导体衬底(4)的n区侧的氢化SiNx层(8)，与所述n区(5)接触的阴极(9)，和与所述SiNx层(8)接触的阳极(10)，其中，所述光开关结构(2)设置成，当在所述阳极(10)与所述阴极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射所述SiNx层(8)，以切换到非线性导电状态。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 结构 相关 制造 方法 以及 有光 电压 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都特频微电子科技发展有限公司，未经成都特频微电子科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010887547.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
