[发明专利]MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法在审
| 申请号： | 202010884236.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112016261A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法，包括：建立MOSFET阈值电压SPICE子电路模型，所述MOSFET阈值电压SPICE子电路模型包括：底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数；调整所述底数沟道长度修正项参数、线性修正项参数和幂指数项参数使得在实测数据不规则情况下对MOSFET的阈值电压随尺寸变化的特性进行拟合后得到高精度的模型。在本发明提供的一种MOSFET阈值电压的SPICE子电路模型建模方法中，建立子电路模型对MOSFET阈值电压的数据进行处理，可以在数据不规则情况下对MOSFET阈值电压随尺寸变化的特性数据进行高精度拟合。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 阈值 电压 spice 电路 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
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