[发明专利]图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种图像传感器及图像传感器像素结构的形成方法，应用于半导体技术领域。通过将像素结构中的传输晶体管的栅极结构的一部分以沟槽的形成扩展到半导体衬底中光电二极管区内，从而可以在增大传输晶体管栅极结构有效面积的同时，在横向方向上延伸光电二极管的宽度，从而增加了电子传输沟通面积，提高光生电子传输速率，减少二极管底部的电子残留，最终提升光电二极管的满阱容量。另一方面，可以实现在不影响芯片面积与采光的情况下，降低芯片的制造成本。此外，由于像素结构中电子传输沟通面积增大，降低了二极管底部的电子残留，从而使得白像素减少。