[发明专利]铜制程平坦化的方法在审
| 申请号： | 202010870921.9 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968911A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣;冯凯;许秀秀;张超逸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜制程平坦化的方法，包括：提供一铜互连结构，所述铜互连结构包括第一介质层及位于第一介质层内的沟槽，所述沟槽内填充有金属铜，所述第一介质层的表面位于所述沟槽外的部分具有第一凹陷区；在所述第一介质层的表面沉积第二介质层，所述第二介质层的表面上对应所述第一凹陷区的位置处具有第二凹陷区；对所述第二介质层进行研磨以磨平所述第二凹陷区。由于对同一材料研磨时研磨速率一致，在研磨后产生凹陷缺陷的第一介质层上沉积第二介质层，并对所述第二介质层进行研磨以磨平凹陷区域，实现了铜和介质层的平坦化，避免了凹陷叠加导致介质层表面产生铜金属残留物等缺陷，进而避免了电学短路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 铜制 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
