[发明专利]一种导电细丝可调控的电阻存储器薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202010870807.6 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112054120A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李颖 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电细丝可调控的电阻存储器薄膜制备方法，在氧化锆薄膜内部插入一层或多层氧化铟掺锡纳米格点阵列，并在氧化锆薄膜的两端分别加工底电极和顶电极。通过该制备方法得到的导电细丝可调控的电阻存储器薄膜，可以达到对导电细丝的生成、迁移以及复合的调控，从而进一步提高电阻存储器的阻变性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 细丝 调控 电阻 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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