[发明专利]静态随机存取存储器器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010869890.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113140244A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵威丞;藤原英弘;林志宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/41;G11C11/416 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 静态随机存取存储器(SRAM)器件包括第一存储器阵列，该第一存储器阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元包括连接至位线的具有第一阈值电压的第一传输门晶体管。SRAM器件还包括第二存储器阵列，该第二存储器阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元包括连接至位线的具有第二阈值电压的第二传输门晶体管。SRAM器件还包括连接至位线的外围输入输出电路。SRAM器件还包括写入电流跟踪单元的列，每个跟踪单元设置在第一存储器阵列和第二存储器阵列的行内，其中第一存储器阵列位于外围输入输出电路和第二存储器阵列之间。本发明的实施例还涉及形成静态随机存取存储器器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010869890.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器装置及其制造方法
- 下一篇：智慧路灯及物联网平台
