[发明专利]一种多层超结半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010868843.9 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111863623A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 任杰;马治军;苏海伟 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造技术领域，尤其涉及一种多层超结半导体器件的制备方法，包括：步骤S1，在具有第一导电类型杂质的半导体衬底上执行一外延工艺以形成一外延层；步骤S2，于外延层上淀积一保护层，并对外延层执行刻蚀工艺，以在外延层上形成多个凹槽；步骤S3，对多个凹槽执行外延工艺，以形成具有第二导电类型杂质的填充区；步骤S4，去除保护层，执行一抛光工艺以使填充区和外延层的上表面齐平，填充区和外延层交替排列形成一层超结结构；重复步骤S1～S4复数次，以形成具有复数层超结结构的复合结构。有益效果：本发明的制备方法形成的超结器件能实现更高耐压能力，改善超高压器件的EMI问题，并且工艺成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
