[发明专利]一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器在审
| 申请号： | 202010866165.2 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111965858A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅基槽波导层、包覆隔离层和功能薄膜层；所述包覆隔离层的折射率低于所述功能薄膜层的折射率，所述包覆隔离层做平坦化处理，且可与所述功能薄膜层键合。本申请提供的电光晶体薄膜中，采用包覆隔离层代替现有技术中的粘接剂层，包覆隔离层能够进行平坦化处理，使得靠近功能薄膜层一侧的表面粗糙度减小，能够减少漫反射，从而减少光传输损耗。进一步地，以硅基槽波导层作为导光的光路，通过改变硅基槽波导层中成对脊型波导的厚度、宽度以及间距可以灵活的改变硅基槽波导层的有效折射率，从而实现较好的限制光的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 晶体 薄膜 及其 制备 方法 调制器 | ||
【主权项】：
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