[发明专利]一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺有效

专利信息
申请号: 202010862764.7 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN111999994B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 陈重佑;陈少骏;邱建铭;吴俊贤;骆彦成;吴全贵;林德荣;任建业 申请(专利权)人: 福建天甫电子材料有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 代理人: 徐东峰
地址: 364000 福建省龙岩*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于薄膜晶体管加工技术领域,提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺。该电子级TFT光阻剥离液的制备工艺包括将剥离液的原料混合后过滤即得;原料包括:有机胺、二甲基亚砜、二乙二醇单丁醚、N‑甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、四甲基氢氧化铵以及羟胺。由该制备工艺制备得到的光阻剥离液质量稳定,对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力,能够完全去除光刻胶,无残留。
搜索关键词: 一种 电子 tft 剥离 制备 工艺
【主权项】:
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