[发明专利]一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法有效
| 申请号： | 202010850915.7 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112051713B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 胡海峰;褚卫国;陈佩佩;董凤良;闫兰琴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/78;G03F1/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 乔凤杰 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米加工技术领域，具体涉及一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法，包括：S1：设计用于约束电子束的曝光图形；S2：在基底材料上旋涂电子束抗蚀剂，选取合适的电子束曝光步长和剂量，经过电子束曝光、显影和定影得到具有亚十纳米结构的图形掩膜；所述用于约束电子束的曝光图形包括两侧梯形电极和中央椭圆形，椭圆形短轴与两电极轴线平行，梯形电极短边邻近中央椭圆形，两梯形电极与椭圆形间隙分别可调。本发明提供的一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法，仅需一步曝光即可实现亚十纳米颗粒/间隙的可控制备，简单易行，克服常规技术制备亚十纳米颗粒/间隙结构工艺步骤多、流程复杂和套刻精度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精度 纳米 电子束 曝光 定位 方法 | ||
【主权项】：
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