[发明专利]具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010850667.6 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952188A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法，包括依次堆叠的底衬底、绝缘层及顶半导体层的半导体基底，顶半导体层中包覆具有间距的隔离层；栅极结构在垂向上的投影覆盖间距并与隔离层形成交叠区域，源极区及漏极区在垂向上的投影完全位于隔离层内。通过隔离层可将源、漏电极与位于隔离层下方的顶半导体层的载流子传输通道隔离，将源、漏电极的漏电路径完全隔断，解决顶半导体层底部漏电问题，提升器件的抗总剂量辐照能力，且通过隔离层的间距保证了沟道处的散热速率，进一步的还可解决沟道侧边的漏电问题，制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，适用范围较广，可用于制备高可靠性的集成电路及分立器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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