[发明专利]超结器件在审
| 申请号： | 202010847245.3 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111883585A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，在过渡区中形成有P型环，版图结构包括：由正面金属层组成的栅极总线、栅极衬垫和源极金属层；源极金属层将所述栅极总线和所述栅极衬垫包围；栅极总线完全位于电荷流动区的区域内的上方；P型环将所述栅极总线和栅极衬垫都包围；源极金属层覆盖在栅极总线和所述栅极衬垫外的电荷流动区上方并延伸到P型环的上方；各栅导电材料层通过第一接触孔连接到对应的栅极总线或栅极衬垫，在P型环上形成有多个连接到源极金属层的第二接触孔，栅导电材料层和P型环之间的无相交结构使P型环的顶部各区域位置都能形成第二接触孔。本发明能提升器件的EAS能力和UIS能力，能避免栅极结构被高电场损坏，还能有效节约芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
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