[发明专利]一种MOSFET静电泄放用连接装置有效
| 申请号： | 202010846799.1 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112164931B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 孙桂芳 | 申请（专利权）人： | 西安环宇芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/639 | 分类号： | H01R13/639;H01R13/633;H01R13/648 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET静电泄放用连接装置，包括晶体管主体，晶体管主体一侧安装有连接线，连接线远离晶体管主体一侧插接接地线，连接线上套设有第一固定板，接地线上套设有第二固定板，第一固定板上下两端均安装有转动机构，两个转动机构靠近第二固定板一侧均安装有连接杆，本发明的有益效果是：通过设置的连接杆、连接槽、卡接机构和限位槽结构，能够使第一固定板和第二固定板连接，从而加固连接线与接地线的连接，避免出现断开的现象，使连接线和接地线的连接更加稳定，同时，设置的转动机构和顶出机构，能够便于将第一固定板和第二固定板分离，从而方便连接线和接地线的拆卸更换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 静电 泄放用 连接 装置 | ||
【主权项】：
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