[发明专利]氧化镓薄膜晶体生长方法有效
| 申请号： | 202010841304.6 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111916341B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨安丽;张新河;高博;张志新;陈施施;温正欣;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体晶体生长技术，公开了一种氧化镓薄膜晶体生长方法，用载气将含镓源的金属有机化合物和含氧物质的气态源分别通入MOCVD设备中，在低温下对衬底进行一层低温氧化镓材料的生长；关闭金属有机化合物源，打开高温加热源，进行高温快速退火；重复上述过程，关闭高温加热源，对高温快速退火之后生长有氧化镓材料的衬底在低温下继续生长。由于氧化镓材料的低温生长和高温退火是在同一反应室内连续进行，中间的热处理过程不需要将样品取出。可以方便地进行多次高低温调制生长，大大提高了氧化镓的生长效率。也有效避免了传统方法取出样品，到反应室外的专用退火炉中进行退火所造成的样品污染，提高了样品的清洁度和结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
