[发明专利]一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010841224.0 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111969054A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘航志 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L29/745;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。该半导体结构包括：第一掺杂类型P+注入层，第二掺杂类型N+注入层，第一掺杂类型P缓冲层，第一掺杂类型P‑漂移层，第二掺杂类型N基区，第二掺杂类型隔离N基区201‑2，以及第一掺杂类型P+阳极层；将普通GTO正向导通和PiN二极管反向续流的功能集成在一种半导体器件中，与两种器件并联使用相比，封装可靠性高，并且可大幅节省芯片面积，降低连接寄生阻抗，提高器件开关速度，同时避免模块式封装体积大、功率密度低的缺点；其制备方法在普通GTO工艺流程基础上加入少量步骤即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 sic gto 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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