[发明专利]具有γ辐射屏蔽效果的高熵陶瓷材料的制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202010834110.3 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN114075075A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 江正明;杨帆;薛丽燕;王凯先;张阳;赵志钢;谢美英;张雪松 申请(专利权)人: 厦门稀土材料研究所
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;C09K3/00;G21F1/06
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 聂稻波
地址: 361021 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供的钨酸基高熵陶瓷材料Sm0.5Eu0.5Gd0.5Bi0.5WO6的制备方法,制备工艺简单,合成的粉体晶粒小且分布均匀,采用水热合成法,流程简单而操作条件可控,易于产业化推广应用。得到的钨酸基高熵陶瓷不但具有Bi2WO6陶瓷的低毒和轻质特性,而且可有效提升材料对γ射线的屏蔽性能,同时在加工性、力学、光学和磁学等方面的应用潜力也得到了提升,具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 具有 辐射 屏蔽 效果 陶瓷材料 制备 方法 应用
【主权项】:
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