[发明专利]一种激光退火装置在审
| 申请号： | 202010828631.8 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952160A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李纪东;侯煜;李曼;张喆;王然;张紫辰;张昆鹏;易飞跃;杨顺凯;王瑜 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光退火装置，包括：载物台、发射激光光束的激光器；将激光器发射出的激光光束分束为至少两束光束的分束及整形系统，至少两束光束中的一束光束为退火光束，其他光束为预热光束；还调整退火光束的能量大于预热光束的能量。还设置有将至少两束光束合在一起并聚焦在晶圆的设定深度层的合束系统、振镜系统。通过分束及整形系统将单个激光器发射出的激光光束分束为一束退火光束及至少一束预热光束，通过合束系统将至少两束光束合在一起并聚焦到晶圆的设定深度层，以对晶圆某一深度层进行退火。无需将整个晶圆都加热到退火温度，实现对晶圆某一深度层进行退火，而其他深度层不受影响或影响较小。采用单个激光器，减少激光器个数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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