[发明专利]一种激光退火装置及退火方法有效
| 申请号： | 202010828515.6 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952158B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 张昆鹏;李纪东;张紫辰;侯煜;易飞跃;杨顺凯;李曼;张喆;王然;王瑜 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;H01S3/10;H01S3/117 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光退火装置及退火方法，包括载物台、用于发射第一设定频率及第一设定能量的激光光束。还包括将激光光束进行扩束的扩束准直元件、调整模块。调整模块调整从扩束准直元件中射出的激光光束的频率及能量；在预热时，调整模块调整激光光束的频率及能量分别为第一设定频率及第二设定能量；在退火时，调整模块调整激光光束的频率及能量分别为第二设定频率及第一设定能量。还包括对从调整模块射出的光束进行整形的整形元件、以及振镜系统，振镜系统将从整形元件射出的光束聚焦在晶圆的设定深度层，还使聚焦在设定深度层的光斑在设定深度层移动。通过对单个激光器进行控制，有效避免多激光器带来的控制不稳定情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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