[发明专利]一种稀土掺杂钨酸基高熵陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010828123.X 申请日: 2020-08-17
公开(公告)号: CN114075074B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 薛丽燕;杨帆;王凯先;张雪松;谢美英;邵志恒;杜畅;林婉晴 申请(专利权)人: 厦门稀土材料研究所
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B38/06;C04B35/626;C04B35/634
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 梁田;聂稻波
地址: 361021 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种稀土掺杂钨酸基高熵多孔陶瓷及其制备方法,具有以下化学通式:RExBi0.4WO6,其中,RE选自稀土元素La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Yb,Tm,Lu,Sc和Y中的至少四种,x=0.4乘以稀土元素种类的数量。本发明在钨酸铋的基础上,创造性地采用多种稀土离子进行掺杂,调控催化剂的能带结构、晶体结构或改变其形貌及表面性质,从而改善了催化剂的可见光催化性能,首次填补了在钨酸基高熵陶瓷技术领域的空白。本发明采用高温固相法或水热合成法制备钨酸基高熵多孔陶瓷,制备工艺流程简单且操作条件可控,易于产业化推广应用。
搜索关键词: 一种 稀土 掺杂 钨酸基高熵 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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