[发明专利]一种VCSEL芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202010815617.4 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111682401B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐化勇;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;冯欧 | 申请（专利权）人： | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，所述制造方法包括：制备一晶圆，并在所述晶圆的上表面刻蚀出至少一圆台，被刻蚀掉的部分形成凹陷区域；在所述晶圆的上表面沉积一层绝缘层；在所述绝缘层上涂一层光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光处理；刻蚀掉曝光显影暴露出的所述绝缘层。本发明有效去除圆台上表面的绝缘层，避免绝缘层对vcsel的尺寸和产出造成影响，提高vcsel阵列的排布密度，并完整保留凹陷区域内的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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