[发明专利]高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010798450.5 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN111995391A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 翟继卫;黄凯威;葛广龙;沈波 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622;C04B41/88
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 陈天宝
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法,所述反铁电陶瓷材料包括:铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相;所述反铁电陶瓷材料的化学通式为:(Pb0.91Ba0.015La0.05)(Zr0.6Sn0.4)O3+x wt%yBaO‑zB2O3‑wAl2O3‑(1‑y‑z‑w)SiO2,其中0<x≤1.0,0<y<1,0<z<1,0<w<1。制备过程中通过固相烧结法制备反铁电陶瓷材料,通过引入玻璃烧结助剂,使得反铁电陶瓷材料的耐压强度显著提高,并大幅降低了陶瓷的烧结温度。与现有技术相比,本发明具有储能密度高、储能效率高、充放电性能优异和烧结温度低的特性,同时制备工艺简单,对于开发多层陶瓷电容器等脉冲功率器件具有非常重要的意义。
搜索关键词: 高储能 密度 电容 器用 低烧 反铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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