[发明专利]氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010793092.9 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111740004B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周云;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/16 | 分类号： | H01L41/16;H01L41/08;H01L41/39;H03H9/64;H03H9/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化铝基薄膜结构、半导体器件及其制备方法，氮化铝基薄膜的制备包括：提供形成有底部电极层的半导体基底，对底部电极层进行表面改性处理形成溅射辅助表面，在溅射辅助表面上形成第一氮化铝功能层，在第一氮化铝功能层上形成第二氮化铝功能层。本发明通过制备第一氮化铝功能层及第二氮化铝功能层，形成掺杂氮化铝薄膜，并通过沉积前进行表面改性处理形成溅射辅助表面，从而可以沉积均匀致密的掺杂氮化铝薄膜，可以有效地降低掺杂氮化铝薄膜内部的缺陷密度和提高其压电性能，能进一步极大地提升体声波滤波器产品的良率，为滤波器生产厂家带来可观的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司，未经上海陛通半导体能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010793092.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理组件异常的方法、装置及电子设备
- 下一篇：半导体片材组件的制备方法及装置
