[发明专利]场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管

摘要

本发明涉及场效应晶体管的制造方法，涉及半导体集成电路技术，把将栅极结构引出的连接孔设置在多条鳍体或半导体线体中的其中一鳍体或半导体线体的形成区域上，且使用于引出源极和漏极的连接孔与用于引出栅极结构的连接孔位于不同的鳍体或半导体线体的形成区域上，并与用于将源极和漏极引出的连接孔相邻的形成于同一鳍体或半导体线体上的栅极结构的顶部形成有一栅极盖帽层，栅极盖帽层将对应的栅极结构保护起来，用于引出栅极结构的连接孔两侧的源极和漏极上形成有埋孔，埋孔上形成有埋孔盖帽层，埋孔盖帽层将连接源极和漏极的埋孔保护起来，增加了半导体产品密度，且避免了短接，提高了场效应晶体管的可靠性。