[发明专利]图像感测装置在审
申请号: | 202010777431.4 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN113471227A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 李庚寅 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种图像感测装置,该图像感测装置包括第一杂质区、第二杂质区、浮置扩散区和传输栅。第一杂质区设置在半导体基板中并包括具有第一掺杂类型的杂质,并且第一杂质区通过响应于入射光而执行光电转换来生成光电荷。第二杂质区设置在第一杂质区上方并且具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的杂质,并且第二杂质区在第一杂质区的一些部分上接触第一杂质区。浮置扩散区设置在第二杂质区上方。传输栅联接至浮置扩散区,并将由第一杂质区生成的光电荷传送到浮置扩散区。第一杂质区被布置为不与传输栅接触。 | ||
搜索关键词: | 图像 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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