[发明专利]一种提高红外及太赫兹芯片性能的方法及红外及太赫兹芯片

摘要

本发明提供了一种提高红外及太赫兹芯片性能的方法及红外及太赫兹芯片。所述提高红外及太赫兹芯片性能的方法包括以下步骤：提供一核壳银纳米粒子；在所述红外及太赫兹芯片上布设所述核壳银纳米粒子；其中，所述核壳银纳米粒子在沸点为100‑170℃的反应介质中，在保护剂的存在下，于100～170℃的温度对核结构的前驱体进行至少一次还原处理得到核结构的纳米种子颗粒；并在25‑100℃的反应温度下，加入壳结构的前驱体进行至少一次还原处理得到。基于本发明的制造方法获得红外及太赫兹芯片具有高的调制深度和响应速度、宽的工作带宽，从而保证了太赫兹系统的性能理想。