[发明专利]过渡金属硫属化合物晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010763310.4 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN114059157B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 李昊;吴扬;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: C30B25/08 分类号: C30B25/08;C30B25/14;C30B29/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种过渡金属硫属化合物晶体的制备方法,该过渡金属硫属化合物的化学式可以表示为MX2,其中M为中心过渡金属元素,X为硫族元素。所述制备方法包括以下步骤:制备多晶MX2粉末及MX2晶种;以及将输运介质及所述多晶MX2粉末置于一第一反应腔,将所述MX2晶种置于一第二反应腔;其中,该第一反应腔一端具有开口,该第二反应腔真空密闭且具有温度梯度,所述第一反应腔设置于该第二反应腔内的高温区,所述MX2晶种设置于该第二反应腔内的低温区。
搜索关键词: 过渡 金属 化合物 晶体 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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