[发明专利]一种VDMOS器件在审
| 申请号： | 202010763057.2 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111682072A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;李茹;姜淋馨 | 申请（专利权）人： | 南京明尼晶磁电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件及制备方法，具有场板结构，该结构能够起到屏蔽与补偿可动离子的作用，仿真结果显示该结构能有效降低器件的表面电场强度。技术方案包括：N型芯片衬底，所述N型芯片衬底上设有至少两道P型沟槽，每道P型沟槽内设有N型栅区；栅极氧化层，覆盖于N型芯片衬底上，遮覆P型沟槽；栅极接触电极，覆盖于栅极氧化层上；场氧化层，覆盖于栅极接触电极上；源极接触电极，覆盖于场氧化层上，源极接触电极上设有凹陷，用于与有源区部分导电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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