[发明专利]垂直存储器件

摘要

提供了一种垂直存储器件，其包括：在衬底上的栅电极，栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开并以阶梯布置堆叠；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；第一接触插塞，延伸穿过栅电极中的第一栅电极的垫以接触第一栅电极的上表面，第一接触插塞延伸穿过栅电极中的第二栅电极的一部分，并且第二栅电极与第一栅电极相邻；第一间隔物，在第一接触插塞与第一栅电极和第二栅电极的面对第一接触插塞的侧壁之间，第一间隔物使第一接触插塞与第二栅电极电绝缘；以及第一掩埋图案，接触第一接触插塞和第一间隔物的底表面，第一掩埋图案包括绝缘材料。