[发明专利]一种高强高导电碳化钛复合薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010752784.9 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN111718518B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 程群峰;万思杰;李响 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C08L5/04 分类号: C08L5/04;C08K3/14;C08K7/00;C08J5/18;C08J3/24;H05K9/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 安丽;贾玉忠
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种高强高导电碳化钛复合薄膜的制备方法,首先通过海藻酸钠(SA)与碳化钛(Ti3C2Tx)纳米片吸附构建Ti3C2Tx‑SA异质基元材料,然后将该异质基元材料通过真空抽滤组装成氢键交联的碳化钛(HBM)复合薄膜,最后将该HBM复合薄膜浸泡在氯化钙(CaCl2)水溶液中,制得氢键和离子键有序交联的碳化钛(SBM)复合薄膜。所述SBM复合薄膜的最高拉伸强度为436MPa,相应的杨氏模量为14.0GPa,韧性为8.4MJ/m3,电导率为2988S/cm;此外,所述SBM复合薄膜也具有超高的抗疲劳性能和优异的电磁屏蔽效能,例如,在215~245MPa的拉伸应力下,能耐受2.1×105次周期性拉伸;对频率在0.3~18GHz的电磁波的屏蔽系数约为46.2dB。
搜索关键词: 一种 高强 导电 碳化 复合 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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