[发明专利]形成高密度图案的方法有效
| 申请号： | 202010745245.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114068309B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 吴承恩 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成高密度图案的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成间隔设置的光刻胶；对所述牺牲层蚀刻，使所述牺牲层形成与所述光刻胶一一对应的心轴，所述心轴的横截面的尺寸自所述心轴的远离所述硬掩膜层的一端向靠近所述硬掩膜层的一端逐渐减小；在所述心轴上形成隔离层；移除位于所述心轴顶部的隔离层、覆盖于所述硬掩膜层的所述隔离层以及所述心轴，形成隔离侧壁图案；将所述隔离侧壁图案转移至所述硬掩膜层。本发明的形成高密度图案的方法能够形成具有精确且均匀的高密度图案的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高密度 图案 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
